Mono- and Multi-crystalline wafer and brick lifetime measurement device

應(yīng)用范圍：用于常規(guī)質(zhì)量控制、精密材料研發(fā)的單晶和多晶片及晶錠的壽命測量

根據(jù)SEMI標準PV9-1110的非接觸式和無損成像(μPCD / MDP(QSS))、光電導性、電阻率和p/n檢查。

晶圓切割，爐內(nèi)監(jiān)控，材料優(yōu)化等。


日常壽命測量，質(zhì)量控制和檢驗
 
◆產(chǎn)量：>240塊/天或>720片/天
◆測量速度：對于156x156x400mm標準晶錠，<4分鐘
◆生產(chǎn)改善：1mm切割標準為156x156x400mm標準晶錠
◆質(zhì)量控制：用于過程和材料的質(zhì)量監(jiān)控，如單晶硅或多晶硅
◆污染測定：起源于爐和設(shè)備的金屬(Fe)
◆可靠性：模塊化和堅固耐用的工業(yè)儀器，更高的可靠性和運行時間> 99%
◆可重復性:> 99.5%
◆電阻率：不需要經(jīng)常校準

精密材料研發(fā)

鐵濃度測定

陷阱濃度測定

硼氧測定

依賴于注入的測量等

特性

*無觸點無破壞的半導體特性
特殊的“表面之下”壽命測量技術(shù)
不可見缺陷的 靈敏度的可視化
自動切割標準定義
空間分辨p/n電導型變換檢測